三极管 + 1 MOS：耳机充电的过压保护

来源：抖音视频 · 微碧半导体-MOSFET制造商 · 约 80 秒 · 作品 ID 7672711429157358884

这张原理图展示一个输入过压切断思路：Q3 是串在充电芯片输入端的 P-MOS，Z1、Q1、Q2 和电阻共同决定何时让它关断。5.1 V 是稳压管的标称值，不是整个电路已经验证的关断电压。

先看原帖电路

此处配图暂缺，参阅原帖。

以上按截图辨识，型号和连线应以清晰原图与器件手册核对。

它怎么切断？

1. 输入处于正常范围时：Q1 不足以导通，R12 给 Q2 提供基极电流；Q2 拉低 Q3 栅极，P-MOS 导通，后级获得输入电源。
2. 输入升高到电路实际动作范围时：Z1 的反向电流经 R10/R11 形成 Q1 基极电压，Q1 导通后拉低 Q2 基极；Q2 关闭，R13 把 Q3 栅极拉回源极附近，P-MOS 沟道关闭。
3. 切断的是充电芯片输入路径，不等于实现了完整电池保护。 单只 MOS 还有体二极管；反向电流能否被阻断，要看方向和完整电路。

为什么不能直接说“超过 5.1 V 就关断”？

稳压管标称电压在特定测试电流下给出，低电流时有软拐点；Q1 的 VBE、R10/R11 的比例、元件误差和温度都会影响动作点。实际还要看恢复阈值、响应时间、MOS 的 VGS 和 VDS 耐压，以及极限输入下器件耗散。没有完整计算与实测，不能保证 5 V 时正常、某电压时可靠切断。

换成其他电压也不能只换一颗稳压管：要重新核算分压、管脚电压、功耗、充电芯片绝对额定值并测试。涉及锂电池的完整保护和充电控制，优先按电芯和充电芯片官方资料选用成熟方案；本图用于理解原理，不作为已验证保护设计。